ОГЛАВЛЕНИЕ:

• Введение
• О компании
• Спецификации
• Упаковка и комплектация
• Осмотр
• Тестовая система
• Разгон
• Производительность
• Вердикт

Современные модули памяти, особенно оверклокерские модели, целесообразно проверять только в двухканальном режиме - все нынешние платформы энтузиастского класса используют именно двухканальный доступ к памяти. В таком режиме несколько снижается разгонный потенциал, поэтому владельцы Athlon 64 для Socket 754 (а также любители Dothan'ов и пользователи со старыми платформами типа Intel 845PE/848Р) смело могут накидывать минимум 10 МГц к указанным цифрам, особенно при расслабленных таймингах.

В отличие от видеокарт, модули оперативной памяти одного типа, как правило, сравнительно слабо различаются по оверклокерскому потенциалу, поэтому полученные результаты адекватно демонстрируют уровень разгоняемости модулей.

Тестирование проводится в четырех разных режимах: с минимальными таймингами (2-5-2-2-1Т), средними (2-6-3-3-1Т), максимально эффективными (2,5-8-3-3-1Т) и штатными (2,5-8-4-4-2Т). Каждый тест проводится при напряжении питания 3.0 В (предел для возможностей используемой материнской платы без внесения аппаратных модификаций).

Все performance-related установки BIOS установлены в наиболее производительные значения.

Вначале посмотрим содержимое микросхем SPD у обоих наборов.

Оба комплекта имеют грамотно прописанные параметры: отсутствие сверхнизких таймингов на частоте DDR400 гарантирует совместимость с максимальным количеством материнских плат (иногда с низколатентными модулями, у которых изначально прошиты значения вроде 2-5-2-2, возникают проблемы). Второй столбик на скриншоте - параметры работы в режиме DDR566 (т.е. PC4400), прописанные на исключительно щадящем уровне. Удивило, что в SPD у F1-4800DSU2-1GBFR также прошиты именно значения от PC4400, включая указываемый тип модуля. Впрочем, я сталкивался и с более "изобретательными" SPD, а на работоспособность комплекта в реальных условиях это никак не повлияло. А перестраховка со штатными таймингами, опять таки, может позитивно повлиять на стабильность работы в некоторых случаях.

Обратите внимание на параметр CAS Latency 2.5, указанный и в спецификациях. Дело в том, что чипы Samsung TCCD очень не любят CAS 3! Установка этой характеристики на указанное значение в теории увеличила бы разгон еще больше, за счет некоторого падения скорости при одинаковых частотах по сравнению с CAS 2.5. Однако, эти размышления остаются лишь теорией: TCCD в этом случае совершенно нетипично _теряет_ в разгоне, причем иногда очень значительно...

Начнем проверку со старшей модели.

Заявленные DDR600 - это уже очень серьезная частота, крайне редко покоримая DDR-модулями без экстремальных мер. Тем не менее, с указанными в спецификациях таймингами комплект F1-4800DSU2-1GBFR безо всяких проблем на этой частоте заработал. Напряжение при этом составило 2.7В, то есть минимальное по спецификациям (2.7-2.9В). Уже впечатляет! После этого мы с энтузиазмом принялись "выжимать все соки" из топового продукта G.SKILL.

Дальнейшее исследование (уже при напряжении 3.0В) показало такие результаты:

Как показало наше тестирование, эти модули легко достигают частоты DDR650 (!), или несуществующего стандарта PC5200, при скромном напряжении 3.0В и таймингах 2.5-8-4-4-2Т. Даже для моделей на базе чипов Samsung TCCD это выдающийся результат!

Кроме того, при установке задержек на минимальный уровень 2-5-2-2-1Т, работоспособность сохранялась до частоты DDR450. Такой результат немного уступает показателям классических Winbond BH-5 - в среднем DDR466 и выше в аналогичных условиях. Однако, культовым BH-5 (напомню, давным-давно снятым с производства и недоступным на рынке) и не снилась подобная гибкость конфигурирования подсистемы памяти, которую обеспечивают Samsung TCCD...

Имея столь выдающуюся по своим характеристикам память, мы не могли отказаться от идеи более экстремального разгона данного комплекта. Для этого был сделан простой вольтмод Vddr, поднявший напряжение на планках памяти до уровня цепи 3.3 В.

Как видите, на минимальных таймингах поведение комплекта от G.SKILL действительно напоминает BH-5, средний разгон которых при напряжении 3.3В и указанных таймингах составляет 240-250 МГц. Однако, наиболее интересная часть это результаты в режиме 2,5-8-3-3-1T. Вообще-то, данная модель материнской платы известна своей нелюбовью к параметру 1Т на частотах свыше 275 МГц HTT. Но, кажется, для G.SKILL F1-4800DSU2-1GBFR было сделано исключение - при повышении напряжения мы добились стабильной работы модулей на частоте DDR610 при 1T Command rate. Кроме того, установка таймингов 2,5-8-4-4 (также при CR=1T) позволила еще на 5 МГц поднять частоту разоты памяти, до 310 (DDR620) МГц. А вот максимальный разгон с CR=2T явно лимитируется потенциалом нашего экземпляра ASUS A8N-SLI Premium - пройти тест выше 333 HTT (и DDR666, соответственно) оказалось невозможным.

Вдоволь наигравшись с чемпионской памятью, переходим ко второму комплекту, G.SKILL F1-4400DSU2-1GBFC стандарта DDR566.

"Обязательная программа" в виде работы на штатных частотах с указанными в спецификациях таймингами и напряжением 2.7В отработана на "отлично", DDR566 2.5-8-4-4-2T работают без проблем.

Дальнейшее тестирование при 3.0В (проверка с вольтмодом не проводилась) выявило следующие предельные частоты стабильной работы:

Это гораздо меньше, чем у G.SKILL F1-4800DSU2-1GBFR и, в отличие от "чемпионского" топового продукта, достаточно типично для современных IC от Samsung. Но и цена на комплекты заметно различается, делая G.SKILL F1-4400DSU2-1GBFC значительно более доступным продуктом.