09/04/2010 - 14:08 [ ]Использование Low-K диэлектрика в AMD Thuban позволит значительно снизить TDP

Буквально вчера AMD раскрыла новые детали о технологии Turbo-Core, которая позволяет повышать рабочую частоту ядер процессора в зависимости от нагрузки. По данным Techreport, AMD использует так называемый Low-K-диэлектрик в степпинге Е0 новых Thuban. Эта тема обсуждается уже довольно давно, особенно с тех пор, как Phenom II X6 1090T с тактовой частотой 3,2 ГГц и тепловым пакетов всего лишь в 125 Ватт (TDP) фигурирует в неофициальных планах компании.

Хотя сейчас и происходят общие улучшения техпроцесса, AMD только несколько месяцев назад удалось опустить TDP Phenom II X4 965 (3,4 ГГц) с 140 до 125 Ватт. Поэтому трудно говорить о том, сможет ли AMD вместе со стартом продукта предложить шестиядерный процессор с частотой 3,2 ГГц, при этом удерживая тепловыделение на отметке 125 Ватт.

AMD Thuban


Low-K диэлектрик – это специальный материал для изоляционных слоев между медными проводящими пластинами в современных процессорах. Эти пластины расположены в несколько слоев и связывают между собой отдельные функциональные блоки, как сеть улиц в большом городе связывает отдельные здания и районы. Поскольку они расположены в несколько слоев и многократно пересекаются или становятся параллельными, возникают так называемые паразитные токи утечки – или с точки зрения физики конденсаторы.

AMD Thuban

Чтобы снизить потребляемую мощность и улучшить тактовую частоту, необходимо держать объем этих конденсаторов на максимально маленьких значениях. Увеличения просветов между пластинами или уменьшения площади их соприкосновения можно добиться тремя способами. Первый из них практически невоплотим вследствие необходимости уменьшения структур, во втором случае увеличилась бы плотность тока и, как следствие, сопротивление в пластинах, а это означает, что в результате потребляемая мощность только возросла бы. Остается только уменьшение диэлектрической проницаемости изоляционного слоя. Сейчас в качестве изолятора используется преимущественно SiO2 (диоксид силиция) со значением диэлектрической проницаемости, равной четырем. При использовании же новых металло-органических изоляторов можно опустить проницаемость значительно ниже отметки «4», а Ultra-Low-K-материалы (ULK) однажды позволят опустить это значение на отметку ниже «2,4»!

Еще неизвестно, какой именно изоляционный материал будет использовать чипмейкер, но самым положительным фактором все же было объявление о низком TDP новых процессоров со степпингом E0, ну и конечно же надежды на более высокий разгонный потенциал CPU.




Источник