Целый год прошел с анонса совместным предприятием Intel и Micron (IM Flash Technologies) чипов памяти 3bpc MLC NAND Flash (три бита на ячейку, 3-bit-per-cell), выполненных по 34-нм технологии. Сегодня компания заявила о начале поставок инженерных образцов микросхем 3bpc, выполненных по более тонкому, 25-нм, техпроцессу.
Передовая технология 3-bit-per-cell NAND (также известная как TLC) обеспечивает непревзойденную плотность хранения данных при миниатюрном размере микросхем. Емкость новых чипов составит целых 64 Гбит (8 Гб), устройства нацелены на применение в USB-флэшках, картах типа SD и электронных устройствах вроде смартфонов и плееров.
IM Flash Technologies планирует начать массовое производство 25-нм TLC NAND уже в конце этого года.