Продолжая передовые разработки в области памяти NAND, компания Samsung Electronics анонсировала сегодня чипы флеш-памяти, выполненные по 20-нм технологическому процессу. Микросхемы могут быть использованы в картах памяти SD и всяческих встраиваемых системах. Согласно заявлениям южнокорейского гиганта, новые чипы 20-нм MLC NAND увеличили уровень продуктивности на 50% по сравнению с памятью прошлого поколения, выполненной по 30-нм технологии. При этом, чипы обладают одинаковой надежностью, скорости чтения и записи данных у памяти нового поколения составят порядка 10 Мб/с.
«Спустя всего один год после представления NAND-памяти произведенной по 30-нм технологии, Samsung перешла на существенно более тонкий 20-нм техпроцесс, данное усовершенствование позволит нам предложить продукцию полностью соответствующую растущим запросом потребителя», сказал мистер Су-Ин Чо (Soo-In Cho), президент подразделения Memory Division, Samsung Electronics.
На данный момент Samsung уже имеет образцы чипов памяти объемом 32 Гбит и готовится к производству конечных продуктов на их основе в виде карт памяти SD объемом от 4 до 64 Гб.
