Южнокорейская Samsung Electronics и японская Toshiba решили объединить свои усилия и разработать новую флэш-память DDR NAND, обладающую характеристиками DDR2 и пропускной способностью интерфейса 400 Мб/с.

Переход с сегодняшнего DDR1 NAND (с 133 Мб/с интерфейсом) на DDR2 NAND повлечет за собой выход новых мобильных устройств, бытовой электроники и транзисторных накопителей. Разработка следующего поколения DDR2 NAND позволит в несколько раз поднять скорость обмена данными по сравнению с технологией DDR1 NAND.

Как Samsung, так и Toshiba начали работу над стандартизацией технологии DDR2 NAND посредством ассоциации JEDEC Solid State Technology Association.

Источник