Большой инноватор в области магнитной записи и флэш-памяти, японская компания Toshiba, опередила совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash Technologies (которое начнет изготовление 25-нм памяти NAND к концу этого года), начав массовое производство памяти NAND по нормам 24-нм технологического процесса.

Первые 24-нм чипы NAND MLC (2 бита на ячейку) будут обладать емкостью 64 Гб (8 ГБ, гигабайт) и появятся в продаже совсем скоро. Вся 24-нм продукция NAND будет производиться с использованием технологии Toggle DDR, позволяющей добиться высоких скоростей передачи данных. С переходом на 24-нм процесс, Toshiba удастся снизить стоимость конечной продукции (например, транзисторных накопителей) и увеличить емкость запоминающих устройств.

Источник