В начале апреля на Modlabs.net появилась статья о мемристорах, интересно повествующая об истории их создания и непонятном, но потенциально большом будущем технологии. Время идет, вовсю заполняет рынок флэш-память NAND, активно вытесняющая классические винчестеры (лет десять назад в это поверили бы с трудом), уже появилась память на основе фазовых переходов (PCM), только с фронта мемристоров мало новостей. Но вот и она – долгожданная весточка о первых шагах в производстве реальных приборов на основе перспективной технологии, еще толком не вышедшей за стенки лабораторий.

Компания HP, изначально разработавшая рабочий прототип мемристора, решила объединить свои усилия с производителем памяти первой величины – Hynix, дабы начать производство накопителей нового типа. По словам руководителя HP Labs, Стэна Уильямса, первые образцы чипов появятся в 2013 году, при одинаковой (с современной флэш-памятью) стоимости микросхем HP планирует увеличить емкость устройств в два (а то и три) раза. Более того, помимо увеличения объема планируется снизить энергопотребление (Стэн говорит о 10-кратном улучшении по этому параметру) и в значительной степени ускорить чтение/запись информации.

Уильямс не спешит сообщать конкретных дат, 2013 год – только ориентир. Точно известно лишь то, что Hynix займется реализацией экспансии мемристорной памяти на существующем рынке флэш-накопителей (все разъемы и интерфейсы останутся старыми, изменится лишь «начинка» устройств) на эксклюзивных условиях, а HP – лицензированием своей технологии.

Совместное предприятие Intel-Micron Flash Technologies или просто IMFT, выполнило свое обещание запустить в массовое производство 25-нм чипы флеш-памяти NAND, данное первого февраля сего года.

С фабрик IMFT начались отгрузки первых партий новой продукции, выполненной по 25-нм технологическому процессу. Под «продукцией» подразумеваются MLC чипы плотностью 8 Гб (64 Гбит) и площадью всего 167 мм². Микросхемы могут быть использованы в ряде устройств вроде цифровых камер, камкордеров, смартфонов, портативных медиа-плееров и твердотельных накопителей.

Также во второй половине этого года компания Intel собирается представить твердотельные накопители, построенные на 25-нм чипах.

Продолжая передовые разработки в области памяти NAND, компания Samsung Electronics анонсировала сегодня чипы флеш-памяти, выполненные по 20-нм технологическому процессу. Микросхемы могут быть использованы в картах памяти SD и всяческих встраиваемых системах. Согласно заявлениям южнокорейского гиганта, новые чипы 20-нм MLC NAND увеличили уровень продуктивности на 50% по сравнению с памятью прошлого поколения, выполненной по 30-нм технологии. При этом, чипы обладают одинаковой надежностью, скорости чтения и записи данных у памяти нового поколения составят порядка 10 Мб/с.

«Спустя всего один год после представления NAND-памяти произведенной по 30-нм технологии, Samsung перешла на существенно более тонкий 20-нм техпроцесс, данное усовершенствование позволит нам предложить продукцию полностью соответствующую растущим запросом потребителя», сказал мистер Су-Ин Чо (Soo-In Cho), президент подразделения Memory Division, Samsung Electronics.
На данный момент Samsung уже имеет образцы чипов памяти объемом 32 Гбит и готовится к производству конечных продуктов на их основе в виде карт памяти SD объемом от 4 до 64 Гб.