Один из ведущих производителей оперативной памяти из Японии, компания Elpida, заявила сегодня, что ей удалось разработать самый маленький в мире чип мобильной оперативной памяти LPDDR2 DRAM объемом 2 гигабита. Данная память (номер модели ECB240ABBCN) предназначена для использования в смартфонах и планшетных ПК и изготавливается по нормам 40-нм технологического процесса. Скорость передачи данных составляет 1066 Мбит/с, напряжение питания микросхем не превышает 1,2В, диапазон рабочих температур варьируется от -30 до +85 градусов по Цельсию. Ниже можно увидеть таблицу со спецификациями нового продукта (там же, в последней строчке, можно обнаружить и виды упаковки микросхемы):

Поставки инженерных образцов новой памяти от Elpida начнутся в августе, а стадии массового производства продукция достигнет уже в сентябре.

Ранее, в этом году, Samsung анонсировала 30-нм 2 Гбит чипы памяти DDR3 DRAM, вчера компания сообщила о запуске продукции в массовое производство. По заявлению производителя новая память позволит (благодаря более тонкому техпроцессу) обладателям серверов и домашних компьютеров значительно увеличить скорость, энергоэффективность и объем.

Новые 30-нм чипы Samsung DDR3 работают на тактовой частоте 1866 МГц и напряжении 1,35 В, а также на 2133 МГц и 1,5 В. Память нацелена на применении в настольных ПК, серверах, ноутбуках и мобильных устройствах.

Южнокорейская компания понимает, что долго почивать на лаврах не получится – на пятки наступают конкуренты, поэтому Samsung сразу же поставила новую цель – запустить до конца этого года в массовое производство 4Гбит чипы DDR3 DRAM, производимые по тому же 30-нм технологическому процессу.

Японская компания Elpida Memory заявила вчера о разработке самого маленького в мире мобильного чипа памяти DDR DRAM объемом 2 Гбит (гигабита). В производстве микросхем будет использоваться 40-нм технологический процесс, при этом размеры нового чипа не будут превышать 50 мм2. Новинка нацелена главным образом на рынок смартфонов, смартбуков и интернет-планшетов.

Разработанные Elpida чипы работают на частоте 400 МГц, а напряжение их питания составляет 1,2 В или 1,8 В. Микросхемы будут поставляться в 60/90-контактном корпусе FBGA или FBGA типа PoP.

Начало поставок описываемой продукции ожидается к июлю текущего года, тогда как инженерные образцы 2 Гбит DRAM будут доступны производителям уже в следующем месяце.