Целый год прошел с анонса совместным предприятием Intel и Micron (IM Flash Technologies) чипов памяти 3bpc MLC NAND Flash (три бита на ячейку, 3-bit-per-cell), выполненных по 34-нм технологии. Сегодня компания заявила о начале поставок инженерных образцов микросхем 3bpc, выполненных по более тонкому, 25-нм, техпроцессу.

Передовая технология 3-bit-per-cell NAND (также известная как TLC) обеспечивает непревзойденную плотность хранения данных при миниатюрном размере микросхем. Емкость новых чипов составит целых 64 Гбит (8 Гб), устройства нацелены на применение в USB-флэшках, картах типа SD и электронных устройствах вроде смартфонов и плееров.

IM Flash Technologies планирует начать массовое производство 25-нм TLC NAND уже в конце этого года.

IMFT, совместное предприятие созданное Intel и Micron, начало производство 25-нм чипов памяти NAND Flash еще в мае, сегодня стало ясно, что плодами этого производства станут четыре новых транзисторных накопителя, выпуск которых запланирован на четвертый квартал текущего года.

Среди готовящейся к выпуску продукции три накопителя модели X25-M (160 Гб, 300 Гб и 600 Гб) и один X25-V (80 Гб). Все устройства, по заявлению производителя, не содержат галогенов и обладают повышенной скоростью передачи данных (по сравнению с предшествующими моделями). Новые X25 оснащены интерфейсом SATA 3.0 Гбит/с, новым контроллером (также выпущенным по 25-нм технологии), опцией шифрования информации и технологией S.M.A.R.T.

Также в первом квартале 2011 года Intel планирует выпустить новые модели X25-E и X18-M.