Несколько дней назад мне было необъодимо использовать один из собранных винтажных ПК для написания обзора процессора AMD FX-8350. Результаты получились весьма интересными и появилось желание продолжить работу по выяснению прогресса в архитектуре отдельных ядер современных процессоров. Собствено, для этого дела я начал проводить эксперименты с AMD Athlon 64 FX 51 и в процессе решил проверить кое-какой нюанс работы с памятью.

В основе вышеупомянутой системы находится материнская плата Gigabyte K8NNXP-940. Глядя на официальные спецификации Gigabyte K8NNXP-940, я подумал, что весьма неплохо было бы по-максимуму использовать возможности этой материнки и забить её большим объёмом памяти. В моём распоряжении оказались два модуля памяти по 2 Гбайт, регистровой, стандарта DDR-400. Произхводитель памяти - Silicon Power. Так же недавно ко мне пришла посылка, в которой были 4 модуля регистровой памяти DDR-400, но уже производства Corsair Memory.

Я решил посмотреть, что будет, если в систему поставить 6 Гбайт памяти. Заведётся или нет? Увидит или нет? Поставил. Система стартовала, когда модули стояли парами. И это хорошо. Всё бы хорошо, только материнская плата не увидела более 3,5 Гбайт памяти и опции для активации Memory Remapping'а в BIOS платы нет. Удивительно, но факт. В начале эпохи x86-64 барьер максимального объёма используемой памяти для флагманских систем с Athlon 64 FX по-прежнему сохранялся. 

Вывод: Платы на базе nForce 3 Pro 150, по крайней мере из тех, что мне доводилось видеть и тестировать (Gigabyte, упомянутый в этой статье - лишь пример. Такая же ситуация наблюдается и на платах ASUS) не преспособлены для использования больших объёмов памяти, несмотря на завленные возможности. Сейчас уже поздно обвинять производителей в клевете, однако для коллекционеров, желающих построить максимально прокаченную систему той эпохи - это минус. 

Стандарт DDR4-SDRAM, являющийся наследником стандарта DDR3-SDRAM, призван увеличить пропускную способность современной памяти, при этом чипы DDR4 останутся в рамках энергопотребления DDR3.

На прошедшей в Токио конференции MemCon организацией JEDEC были показаны роадмэпы, в которых обрисовывался стандарт DDR4-SDRAM. Частота модулей памяти DDR2-SDRAM находилась в рамках 400~1066 МГц, DDR3-SDRAM этот диапазон расширил до 1066~2133 МГц, новый же стандарт, DDR4-SDRAM, будет нацелен на реализацию микросхем памяти, работающих на частотах от 2133 до 4266 МГц, при этом напряжение DRAM составит от 1,1 до 1,2 вольта. Первые чипы памяти DDR4 будут построены по нормам 32-нм или 36-нм технологического процесса.

Поставки первых инженерных образцов JEDEC ожидает уже в 2011. Начало массового производства памяти на базе нового стандарта начнется не ранее 2015 года.