Анонсированная в марте этого года, серия модулей памяти повышенной ёмкости Ridgeback от Mushkin Enhanced пополнилась еще двумя версиями для платформ LGA 1156 и LGA 1366 объёмом 8 и 12 ГБ соответственно. Двух- и трёхканальные наборы имеют одинаковые характеристики. Оба работают на частоте 2000 МГц с задержками 10-10-10-27 при напряжении 1,65 В. Цена на комплекты с пожизненной гарантией равна 280$ за 996953, а топовый 998953 обойдется в 480$

Чем больше памяти, тем лучше – это давно известная аксиома. Где недобор, а где перебор – не всегда понятно, зависит от ситуации. Вчера G.Skill решила попробовать «перебрать», анонсировав набор оперативной памяти G.Skill DDR3 48GB 1900MHz CL8 Ripjaws общим объемом 48 Гб. В комплект входят 12 модулей объемом 4 Гб каждый. Продукт предназначен для использования с двухпроцессорной материнской платой EVGA Super Record 2, в которой как раз имеется 12 слотов под трехканальную память DDR3.

Модули от G.Skill работают на частоте 1900 МГц, однако по желанию потребителя они могут быть разогнаны до 2000 МГц. Цена и дата релиза пока окутаны мистическим туманом.

JEDEC опубликовала DDR3L - добавление к стандарту памяти DDR3 JESD79-3. Нововведение заключается в стандартизации памяти с рабочим напряжением 1,35 В. Конечно, такие модули уже давно выпускаются и потребляют на 15% меньше энергии чем DDR3 и 40% чем DDR2. На текущем этапе, по сути они представляют собой высокоскоростные планки на топовых чипах с заниженной спецификацией. Так память серии LoVo от Kingston собрана на легендарных Elpida -MGH-E HYPER. Подобные наборы работающие на скоростях до 1600 МГц уже продают G.Skill, Mushkin и Geil. Более низкое энергопотребление позволяет экономить значительные суммы в серверном сегменте, но для обычных потребителей это будет малозаметно. Интересно сколько компаний успеют выпустить память с напряжением 1,25 В до того как JEDEC утвердит ее.

Ранее, в этом году, Samsung анонсировала 30-нм 2 Гбит чипы памяти DDR3 DRAM, вчера компания сообщила о запуске продукции в массовое производство. По заявлению производителя новая память позволит (благодаря более тонкому техпроцессу) обладателям серверов и домашних компьютеров значительно увеличить скорость, энергоэффективность и объем.

Новые 30-нм чипы Samsung DDR3 работают на тактовой частоте 1866 МГц и напряжении 1,35 В, а также на 2133 МГц и 1,5 В. Память нацелена на применении в настольных ПК, серверах, ноутбуках и мобильных устройствах.

Южнокорейская компания понимает, что долго почивать на лаврах не получится – на пятки наступают конкуренты, поэтому Samsung сразу же поставила новую цель – запустить до конца этого года в массовое производство 4Гбит чипы DDR3 DRAM, производимые по тому же 30-нм технологическому процессу.

OCZ Technology Group -  лидирующий производитель твердотельных накопителей и оперативной памяти представляет новые высокоскоростные модули DDR3 объемом 4 Гб способные функционировать на частоте 2133 МГц. Они будут выпускаться как в 8 Гб так и 12 Гб комплектах под тремя основными сериями компании: топовой Flex EX с гибридной системой охлаждения, Reaper HPC с дополнительным радиатором на медной тепловой трубке и начальной Platinum . Но пока же на официальном сайте OCZ имеется подробная информация только об одном из них с маркировкой OCZ3FXE2133LV8GK принадлежащий серии Flex EX.

Этот двухканальный комплект оптимизирован под последние платформы Intel с процессорами Core i7/i5. Имеет задержки CL 10-10-10-30 и работает при напряжении 1.65 в. Как и остальные, продукт имеет пожизненную гарантию и информационную поддержку от OCZ.