Как известно, вместе с процессорами Haswell-E в исполнении компании Intel на рынок выйдут не только множество материнских плат на наборе системной логики Intel X99 Express, но и оперативная память нового поколения DDR4. Некоторое производители уже успели продемонстрировать собственные разработки в данном направлении, присоединилась к таким и компания G.Skill, продемонстрировавшая в Сети планки ОЗУ геймерского класса, которые выйдут на рынок в рамках фирменной серии RipJaws.

Новинки порадуют продвинутых пользователей алюминиевыми радиаторами нового дизайна, с оригинальным внешним видом и невысокими гребешками. Модули G.Skill RipJaws 4 DDR4 будут предложены покупателям в четырехканальных комплектах суммарным объемом 16 и 32 Гбайт, которые будут состоять из четырех планок емкостью 4 и 8 Гбайт соответственно.

В настоящее время оперативная память предлагается энтузиастам для предварительного заказа в красном, синем и черном цветовом исполнении, с частотой 2400, 2666 и 3000 МГц, таймингами CAS 15-15-15-35, номинальным напряжением 1,2-1,35 В и пожизненной гарантией. В зависимости от спецификаций заказчикам придется выложить от £239,99 до £499,99.

Южнокорейский поставщик полупроводниковой памяти SK Hynix стал очередным производителем, который добавил в свой ассортимент оперативную память стандарта DDR4. Оперативка нового поколения с удвоенной скоростью передачи данных, если верить прогнозам, может поступить на прилавки розничных точек в конце текущего или начале следующего года.

Возвращаясь к анонсу компании SK Hynix, отметим, что если Micron and A-Data накануне представили планки оперативной памяти DDR4 емкостью максимум 8 Гбайт, корейский разработчик заявил о готовности предложить заказчикам планки номиналом 64 и даже 128 Гбайт.

Модули SK Hynix основываются на фирменных чипах памяти производителя емкостью 8 Гбайт, которые базируются на технологических нормах 20 нм. Для производства новинок разработчик применил трехмерную компоновку чипов, известную под названием Through Silicon Via, что позволило вдвое увеличить плотность их расположения в сравнении с предыдущими поколениями. Также такой подход позволяет снизить рабочее напряжение и увеличить пропускную способность чипов.

Начальник отдела развития SK Hynix сообщил, что модули памяти работают на частоте 2133 МГц, смогут обрабатывать данные по 64-битной шине со скоростью 17 Гбит/с и имеют рабочее напряжение всего 1,2 В. Массовое производство модулей Hynix DDR4 128 Гбайт стартует в начале 2015 года.

Компания G.Skill поделилась с журналистами своими планами относительно запуска планок оперативной памяти нового поколения DDR4, который по предварительным данным должен состояться в рамках форума IDF 2013, что пройдет в первой половине сентября в Сан-Франциско. Помимо этого известный производитель пообещал на данном мероприятии продемонстрировать мировой общественности свои самые быстрые планки ОЗУ DDR3 для платформы Intel HEDT Ivy Bridge-E.

Как известно, в настоящее время детальные характеристики будущей памяти стандарта DDR4 не опубликованы, однако уже сейчас можно точно говорить о том, что новинки будут иметь в сравнении с текущим поколением более низкий уровень рабочего напряжения – ожидается показатель в пределах от 1,1 до 1,2 В. Вместе с этим будущий стандарт позволит модулям оперативной памяти превосходить барьер тактовой частоты в 4200 МГц и более, учитывая тот факт, что нынешним планкам DDR3 покоряется отметка в 3000 МГц. Сообщается, что первые образцы памяти DDR4 будут работать на таковой частоте 3200-3466 МГц, однако ожидается, что постепенно этот показатель будет увеличиваться.

Напомним, поддержка ОЗУ нового стандарта должна появиться в процессорах Haswell-E и Skylake, а также APU AMD Carrizo.

Как известно, выпуск новых планок оперативной памяти спецификаций DDR4 обещает рынку компьютерных систем огромный скачок в плане производительности, при увеличении объема планок и снижении их номинального энергопотребления. В рамках выставки CES 2013 лишь компания Crucial продемонстрировала собравшимся опытные образцы модулей Ballistix DDR4, которые должны будут поступить через время в массовое производство.

Новинки функционируют на тактовой частоте 2133 МГц, что достаточно мало для данного стандарта, однако в будущем ожидается увеличение этого показателя до 3 ГГц и более, после того как производители станут предлагать оверклокерские версии планок DDR4. Преимуществ у нового стандарта множество, однако, чтобы ними воспользоваться необходимо дождаться того момента, когда Intel включит их совместимость в свои процессоры поколения Haswell. Как и нынешнее семейство Ivy Bridge, Haswell разработаны для совместно работы с планками DDR3, однако архитектура подразумевает возможность поддержки ОЗУ новой генерации.

Малое энергопотребление памяти DDR4 окажется весьма полезным в сегменте мобильных устройств. Работая при напряжении питания всего в 1,2 В (в будущем ожидаются модели с еще меньшими показателями напряжения) новинки предоставляют примерно 20% экономию электроэнергии в сравнении с DDR3 при работе на частоте 2133 МГц. Ожидается, что в продаже будут предлагаться планки DDR4 номиналом 16 ГБ, а некоторые компании, по слухам, уже работают над 32-гигабайтными моделями.

Стандарт DDR4-SDRAM, являющийся наследником стандарта DDR3-SDRAM, призван увеличить пропускную способность современной памяти, при этом чипы DDR4 останутся в рамках энергопотребления DDR3.

На прошедшей в Токио конференции MemCon организацией JEDEC были показаны роадмэпы, в которых обрисовывался стандарт DDR4-SDRAM. Частота модулей памяти DDR2-SDRAM находилась в рамках 400~1066 МГц, DDR3-SDRAM этот диапазон расширил до 1066~2133 МГц, новый же стандарт, DDR4-SDRAM, будет нацелен на реализацию микросхем памяти, работающих на частотах от 2133 до 4266 МГц, при этом напряжение DRAM составит от 1,1 до 1,2 вольта. Первые чипы памяти DDR4 будут построены по нормам 32-нм или 36-нм технологического процесса.

Поставки первых инженерных образцов JEDEC ожидает уже в 2011. Начало массового производства памяти на базе нового стандарта начнется не ранее 2015 года.