Компания Samsung Electronics в эти дни раскрыла свои планы по выпуску графической памяти нового поколения GDDR7. В настоящее время южнокорейский гигант утверждает, что новинка на 25% энергоэффективнее, нежели нынешняя GDDR6, что было достигнуто в немалой степени за счет применения сигнализации PAM3 (импульсно-амплитудная модуляция). Напомним, актуальное поколение VRAM берет за основу NRZ (Non-Return to Zero).

клик для увеличения

В докладе сообщается, что GDDR7 будет способна обеспечивать скорость на уровне 36 Гбит/с, что вдвое больше показателя 18 Гбит/с, которым могут похвастаться большинство нынешних видеокарт линейки Radeon RX 6000. Напомним, будущая серия Radeon RX 7000 использует видеопамять GDDR6 на 20 Гбит/с, что медленнее стандарта GDDR6X от Micron и NVIDIA для графических ускорителей GeForce RTX 30/40. Указанная технология использует сигнальный метод PAM4 и обеспечивает скорость до 23 Гбит/с.

Согласно предварительным сведениям, видеокарта на базе VRAM GDDR7 будет способна предложить пропускную способность в 1152 ГБ/с при использовании шины на 256-бит, и 1728 ГБ/с – при 384-бит. Пока технология находится на стадии разработки, и в обозримом будущем таких решений мы не увидим. Samsung не готова раскрыть свои планы по срокам внедрения стандарта.

В ходе Samsung Tech Day 2021 южнокорейский гигант поделился своими планами по выпуску фирменной памяти. Отметим, что производитель не позволил снимать данное мероприятие, поэтому у нас нет никаких слайдов или фотографий. Однако наши коллеги подробно все задокументировали.

Итак, как мы знаем, память DDR5 только что вышла на массовый рынок вместе с серией процессоров Intel Core 12-го поколения «Alder Lake-S, но потребителям придется ожидать справедливых цен на эту новую технологию не раньше 2023 года.

Между тем, Samsung уже готова говорить о преемнике технологии DDR5, которая, как говорят, предлагает вдвое большую скорость и пропускную способность. Стандарт DDR6 еще не формализован JEDEC, однако по умолчанию скорость может быть около 12800 Мбит/с.

Samsung подтверждает, что технология находится на ранней стадии разработки, поэтому цифры, представленные компанией, вероятно, изменятся, но наши коллеги уверены, что память DDR6 сможет разгоняться до 17000 Мбит/с.

Говорят, что DDR6 будет иметь четыре канала на модуль (вдвое больше по сравнению с DDR5), а количество стеков памяти увеличится до 64, что в четыре раза больше по сравнению со стандартом DDR4.

Некоторая информация о приемнике графической памяти GDDR6 также была раскрыта Samsung. Судя по всему, сейчас компания разрабатывает стандарт GDDR6+, предлагающий скорость до 24 Гбит/с. Это выше, чем 18 Гбит/с, которые будут предлагаться с текущим стандартом GDDR6.

Кроме того, стандарт GDDR7 также находится в дорожной карте, но без привязки к конкретной дате. Эта технология должна увеличить пропускную способность памяти до 32 Гбит/с и обеспечить «функцию защиты от ошибок в реальном времени», однако здесь Samsung не была готова предоставить дополнительные сведения.

Источник также сообщает, что Samsung должна начать массовое производство памяти HBM3 (High-Bandwidth-Memory Gen3) во втором квартале 2022 года.