В ходе Samsung Tech Day 2021 южнокорейский гигант поделился своими планами по выпуску фирменной памяти. Отметим, что производитель не позволил снимать данное мероприятие, поэтому у нас нет никаких слайдов или фотографий. Однако наши коллеги подробно все задокументировали.

Итак, как мы знаем, память DDR5 только что вышла на массовый рынок вместе с серией процессоров Intel Core 12-го поколения «Alder Lake-S, но потребителям придется ожидать справедливых цен на эту новую технологию не раньше 2023 года.

Между тем, Samsung уже готова говорить о преемнике технологии DDR5, которая, как говорят, предлагает вдвое большую скорость и пропускную способность. Стандарт DDR6 еще не формализован JEDEC, однако по умолчанию скорость может быть около 12800 Мбит/с.

Samsung подтверждает, что технология находится на ранней стадии разработки, поэтому цифры, представленные компанией, вероятно, изменятся, но наши коллеги уверены, что память DDR6 сможет разгоняться до 17000 Мбит/с.

Говорят, что DDR6 будет иметь четыре канала на модуль (вдвое больше по сравнению с DDR5), а количество стеков памяти увеличится до 64, что в четыре раза больше по сравнению со стандартом DDR4.

Некоторая информация о приемнике графической памяти GDDR6 также была раскрыта Samsung. Судя по всему, сейчас компания разрабатывает стандарт GDDR6+, предлагающий скорость до 24 Гбит/с. Это выше, чем 18 Гбит/с, которые будут предлагаться с текущим стандартом GDDR6.

Кроме того, стандарт GDDR7 также находится в дорожной карте, но без привязки к конкретной дате. Эта технология должна увеличить пропускную способность памяти до 32 Гбит/с и обеспечить «функцию защиты от ошибок в реальном времени», однако здесь Samsung не была готова предоставить дополнительные сведения.

Источник также сообщает, что Samsung должна начать массовое производство памяти HBM3 (High-Bandwidth-Memory Gen3) во втором квартале 2022 года.

Все мы уже неоднократно слышали новости о памяти HBM2, но что мы знаем сейчас о GDDR6. Несколько месяцев тому назад в Сети появилась информация, что Micron начала поставки такой памяти заказчикам. Однако затем выяснилось, что речь шла о чипах GDDR5Х.

В настоящее время есть данные о том, что память GDDR6 запланирована к выходу на 2018 год. В этот же период ожидается приход на персональные компьютеры памяти на базе чипов DDR5. Как известно, GDDR5Х обеспечивает пропускную способность на уровне 10 Гбит/с, а в скором времени должна добраться до отметки 12 Гбит/с. GDDR6 в этом плане обещает увеличение показателя до 14 Гбит/с и выше. Изменения коснуться и показателя энергоэффективности – он естественно тоже возрастет.

Обновилась информация и относительно типа памяти HBM2. По данным наших коллег, SK Hynix планирует разделить технологию на три различных сегмента: для серверов, графики и ноутбуков. В каждом сегменте будут применяться различные конфигурация стеков HBM.

Кроме этого SK Hynix подтвердила информацию о том, что HBM2 будет предлагаться в объемах до 32 Гбайт в четырехслойных модулях 8 Hi. Однако такие версии найдут применение лишь в серверах. Графический сегмент получит память HBM2 объемом до 4 Гбайт.

Есть информация и о следующем шаге в развитии технологии HBM – HBM3. Компания Hynix уже приступила к первым опытам в этой области. Выход третьего поколения может состояться в 2019 или 2020 году. Пока что неизвестно, какая именно архитектура станет флагманом данной технологии. Однако уже известно, что AMD Navi предложит поддержку памяти нового поколения. Правда это может быть, как HBM3, так и GDDR6.