Компания Hynix в настоящее время является одним из главных игроков на рынке памяти для компьютерных систем и как раз является одним из тех производителей, которые стараются внедрить новый стандарт в сегмент смартфонов. Компания подтвердила информацию о начале поставок памяти LPDDR4, которая найдет свое применение в коммерческих телефонах.

В частности разработчик заявляет, что анонсированный в январе этого года на выставке CES 2015 флагманский смартфон LG G Flex 2 как раз получил память LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4). Отметим, что данная новинка еще не поступила в розничную продажу.

20-нанометровая память нового стандарта вдвое увеличила пропускную способность с 1600 Мбит/с (LPDDR3) до 3200 Мбит/с. В то же самое время она работает при напряжении 1,1 В, что на 0,1 В ниже показателя LPDDR3. Не так много, но для мобильных устройств это имеет значение.

Можно не сомневаться, что помимо LG G Flex 2 и другие флагманские смартфоны, анонс которых может состояться с 1 марта в рамках выставки Mobile World Congress 2015, также получат поддержку LPDDR4, благо чипсет Qualcomm Snapdragon 810 позволяет ее реализовать.

Напоследок отметим, что аналитики IHS уверены в том, что в следующем году почти 40% смартфонов премиум-класса будут использовать именно память LPDDR4.

Южнокорейский поставщик полупроводниковой памяти SK Hynix стал очередным производителем, который добавил в свой ассортимент оперативную память стандарта DDR4. Оперативка нового поколения с удвоенной скоростью передачи данных, если верить прогнозам, может поступить на прилавки розничных точек в конце текущего или начале следующего года.

Возвращаясь к анонсу компании SK Hynix, отметим, что если Micron and A-Data накануне представили планки оперативной памяти DDR4 емкостью максимум 8 Гбайт, корейский разработчик заявил о готовности предложить заказчикам планки номиналом 64 и даже 128 Гбайт.

Модули SK Hynix основываются на фирменных чипах памяти производителя емкостью 8 Гбайт, которые базируются на технологических нормах 20 нм. Для производства новинок разработчик применил трехмерную компоновку чипов, известную под названием Through Silicon Via, что позволило вдвое увеличить плотность их расположения в сравнении с предыдущими поколениями. Также такой подход позволяет снизить рабочее напряжение и увеличить пропускную способность чипов.

Начальник отдела развития SK Hynix сообщил, что модули памяти работают на частоте 2133 МГц, смогут обрабатывать данные по 64-битной шине со скоростью 17 Гбит/с и имеют рабочее напряжение всего 1,2 В. Массовое производство модулей Hynix DDR4 128 Гбайт стартует в начале 2015 года.

Южнокорейский чипмейкер Hynix Semiconductor заявила о выпуске 64 Гб NAND чипов памяти производимых по разработанной в феврале 20 нм технологии на фабрике M11 в Чонджу. Освоение нового техпроцесса обеспечивает на 60% большую производительность чипов нежели 30 нм версии и как минимум большую ёмкость при равных размерах, что очень важно для компактных мобильный девайсов, таких как смартфоны, планшеты и другие. До конца года ожидается наращивание производства до 80000 чипов месяц. Помимо этого, Hynix уже располагает готовыми решениями, разработанные совместно с Израильской Anobit, которая отвечает за контроллеры. Нововведение означает скорое наступление новой волны анонсов производителей SSD и существенное снижение цен на существующие модели.