Спустя всего неделю после публикации официальных спецификаций будущей графической памяти стандарта High Bandwidth Memory второго поколения HBM2 организация JEDEC огласила характеристики стандарта GDDR5X. Отличий от существующей топологии GDDR5 не так уж и много, но они существенны, поскольку влияют на производительность основанных на них видеокарт.

Согласно уже подтвержденным данным, компании AMD и NVIDIA в своих новых поколениях графических ускорителей за счет применения памяти GDDR5X смогут увеличить пропускную способность VRAM до 10 или даже 14 Гбит/с на ядро, тогда как GDDR5 могла обеспечить максимальный показатель не более 8 Гбит/с.

Несмотря на то, что новый стандарт не способен продемонстрировать цифры, выдаваемые HBM2, память GDDR5X дешевле в производстве и проще в реализации и тестировании. При этом ожидается почти двукратное увеличение пропускной способности в сравнении с предшественником.

По данным компании Micron, поставки чипов типа GDDR5X начнутся уже во второй половине текущего года. Таким образом, новый стандарт может быть готов к тому моменту, когда свои решения нового поколения подготовят компании AMD и NVIDIA. Считается, что стандарт найдет своем применение в адаптерах начального и среднего класса. Технология HBM2 зарезервирована для высокоуровневых адаптеров.

Кстати, разработчики обещают, что в будущих модификациях VRAM GDDR5X пропускную способность можно будет увеличить до 16 Гбит/с.

Органом по стандартизации микроэлектронной промышленности было установлено, что твердотельные накопители могут начать терять записанные на них данные если их оставить без питания всего на одну неделю. Такие сведения приводятся в докладе председателя совета JEDEC и представителя компании Seagate Элвина Кокса (Alvin Cox). Что еще более интересно, время сохранения данных будет сокращаться вдвое за каждые превышающие стандарт 5 градусов по Цельсию в области, где хранится SSD.

Также в отчете говорится о том, что заявленные показатели потребительских накопителей падают уже через год после использования (работа 8 часов в сутки), а в корпоративном сегменте – через 3-4 месяца (24 часа в сутки). Сведения подтверждены исследованиями компаний Samsung, Seagate и Intel.

У специалистов вызывает беспокойство тот факт, что многие потребители используют SSD в качестве хранилищ данных, что является не очень хорошей идеей, если период хранения превышает три месяца. В таких случаях рекомендуется создание резервных копий, что поможет снизить риск потери важной информации.

Стандарт DDR4-SDRAM, являющийся наследником стандарта DDR3-SDRAM, призван увеличить пропускную способность современной памяти, при этом чипы DDR4 останутся в рамках энергопотребления DDR3.

На прошедшей в Токио конференции MemCon организацией JEDEC были показаны роадмэпы, в которых обрисовывался стандарт DDR4-SDRAM. Частота модулей памяти DDR2-SDRAM находилась в рамках 400~1066 МГц, DDR3-SDRAM этот диапазон расширил до 1066~2133 МГц, новый же стандарт, DDR4-SDRAM, будет нацелен на реализацию микросхем памяти, работающих на частотах от 2133 до 4266 МГц, при этом напряжение DRAM составит от 1,1 до 1,2 вольта. Первые чипы памяти DDR4 будут построены по нормам 32-нм или 36-нм технологического процесса.

Поставки первых инженерных образцов JEDEC ожидает уже в 2011. Начало массового производства памяти на базе нового стандарта начнется не ранее 2015 года.

JEDEC опубликовала DDR3L - добавление к стандарту памяти DDR3 JESD79-3. Нововведение заключается в стандартизации памяти с рабочим напряжением 1,35 В. Конечно, такие модули уже давно выпускаются и потребляют на 15% меньше энергии чем DDR3 и 40% чем DDR2. На текущем этапе, по сути они представляют собой высокоскоростные планки на топовых чипах с заниженной спецификацией. Так память серии LoVo от Kingston собрана на легендарных Elpida -MGH-E HYPER. Подобные наборы работающие на скоростях до 1600 МГц уже продают G.Skill, Mushkin и Geil. Более низкое энергопотребление позволяет экономить значительные суммы в серверном сегменте, но для обычных потребителей это будет малозаметно. Интересно сколько компаний успеют выпустить память с напряжением 1,25 В до того как JEDEC утвердит ее.

Advanced Micro Devices, второй крупнейший в мире поставщик центральных процессоров и ведущий производитель графических процессоров и Rambus, в среду сообщили, что обе компании возобновили патентное лицензионное соглашение о том, что AMD и ATI будут продолжать выплачивать Rambus отчисления за патенты на технологию DRAM. 

Первоначальный срок действия договора AMD подходит к концу в сентября этого года. Обновленный же вариант будет действовать до третьего квартала 2015 года. По условиям соглашения, Rambus предоставляет AMD патентные лицензии на его интегральные микросхемы и другие продукты, AMD же будет продолжать выплачивать Rambus лицензионный сбор, который будет определен в конце 2010 года. Это лицензионный сбор оплачивается каждый год ежеквартальными взносами. 

"Мы очень довольны решением AMD по продлению срока договора и надеемся на дальнейшие перспективы согласования интересов наших компаний. Это соглашение будет продолжать позволять клиентам AMD в полной мере пользоваться лицензированной продукцией, используя наши запатентованные инновации, чтобы развивать свои продукты", заявил Шарон Холт (Sharon Holt), старший вице-президент по лицензированию и маркетингу Rambus. 

Rambus принадлежат многочисленные патенты, связанные с памятью и логикой интерфейсов памяти и архитектуры. Хотя многие производители DRAM считают, что большая часть таких патентов получена незаконным путем во время участия Rambus в организации по стандартизации именуемой JEDEC, все же им приходится платить роялти в Лос-Альтос, штат Калифорния, компании. Другие компании, в том числе один из главных конкурентов AMD NVIDIA, находятся в процессе судебных исков против Rambus.

Чем черт не шутит, может, когда-то в будущем революционные продукты Rambus доберутся и до наших настольных компьютеров.