Южнокорейский чипмейкер Hynix Semiconductor заявила о выпуске 64 Гб NAND чипов памяти производимых по разработанной в феврале 20 нм технологии на фабрике M11 в Чонджу. Освоение нового техпроцесса обеспечивает на 60% большую производительность чипов нежели 30 нм версии и как минимум большую ёмкость при равных размерах, что очень важно для компактных мобильный девайсов, таких как смартфоны, планшеты и другие. До конца года ожидается наращивание производства до 80000 чипов месяц. Помимо этого, Hynix уже располагает готовыми решениями, разработанные совместно с Израильской Anobit, которая отвечает за контроллеры. Нововведение означает скорое наступление новой волны анонсов производителей SSD и существенное снижение цен на существующие модели.

Южнокорейская Samsung Electronics и японская Toshiba решили объединить свои усилия и разработать новую флэш-память DDR NAND, обладающую характеристиками DDR2 и пропускной способностью интерфейса 400 Мб/с.

Переход с сегодняшнего DDR1 NAND (с 133 Мб/с интерфейсом) на DDR2 NAND повлечет за собой выход новых мобильных устройств, бытовой электроники и транзисторных накопителей. Разработка следующего поколения DDR2 NAND позволит в несколько раз поднять скорость обмена данными по сравнению с технологией DDR1 NAND.

Как Samsung, так и Toshiba начали работу над стандартизацией технологии DDR2 NAND посредством ассоциации JEDEC Solid State Technology Association.

Совместное предприятие Intel-Micron Flash Technologies или просто IMFT, выполнило свое обещание запустить в массовое производство 25-нм чипы флеш-памяти NAND, данное первого февраля сего года.

С фабрик IMFT начались отгрузки первых партий новой продукции, выполненной по 25-нм технологическому процессу. Под «продукцией» подразумеваются MLC чипы плотностью 8 Гб (64 Гбит) и площадью всего 167 мм². Микросхемы могут быть использованы в ряде устройств вроде цифровых камер, камкордеров, смартфонов, портативных медиа-плееров и твердотельных накопителей.

Также во второй половине этого года компания Intel собирается представить твердотельные накопители, построенные на 25-нм чипах.