Компания Micron заявила вчера, что работает над новыми чипами памяти DRAM (RLDRAM) с пониженными задержками. Новая память нацелена на использование в крайне требовательных к скорости сетевых приложениях.

Обновленная линейка RLDRAM включит емкости 512 Мбит и 1 Гбит, период, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time) составит менее 10 наносекунд, чипы будут работать на напряжении от 1,2 В до 1,35 В, скорость передачи данных при этом составит 2 133 Мбит/с.

Начало поставок инженерных образцов новой памяти RLDRAM 3 от Micron начнется в первой половине 2011 года.