Достоянием общественности в эти дни стали первые образцы чипов памяти HBM (High-Bandwidth-Memory), которые были представлены компанией SK Hynix на проходящей в эти дни выставке  CeBIT 2015. Как известно, эта перспективная память будет использоваться в новых поколениях графических ускорителей.

В рамках презентации можно было увидеть 1-гигабайтный чип HBM1 (первое поколение), а также целую пластину HBM2 (второе поколение). Память HBM2, как уточнилось в ходе доклада, не ожидается в нынешнем году, поскольку технология находится пока на стадии разработки. Первой микроархитектурой, в которой будет задействована HBM2, станет упоминаемая нами вчера NVIDIA Pascal.

Что касается HBM1, то чипы данного типа уже готовы и первое наше боевое знакомство с ними произойдет после выхода адаптеров AMD семейства Radeon Rx 300. Как уже известно, в моделях Radeon R9 390X и R9 390 вместо модулей GDDR5 как раз будет применяться многослойная HBM.

Отметим, что новое поколения графической памяти должно предложить значительный прирост производительности в сравнении с GDDR5. Четырехслойный стек, называемый еще 4-Hi, будет содержать в себе от 1 до 2 Гбайт памяти, восьмислойный вариант 8-Hi также планируется к выпуску.

Стандарт HBM2 в свою очередь должен удвоить пропускную способность и плотность, так что теоретически объем памяти сможет достигать 32 Гбайт. Как раз в своих адаптерах Pascal компания NVIDIA и планирует раскрыть весь потенциал технологии HBM2.

По сообщениям наших зарубежных коллег, компания SK Hynix начала полномасштабное серийное производство чипов флэш-памяти MLC (Multi Level Cell) NAND с плотностью 16 Гбайт, которые создаются по технологическим нормам 16 нанометров. Согласно имеющимся на текущий момент данным, пока что это самый тонкий технологический процесс, который был освоен разработчиками.

В июне текущего года компания представила первую версию 16-нанометровой памяти NAND, а сейчас приступила к производству второй версии. Согласно обновленным данным, новые чипы более конкурентоспособны благодаря более компактным размерам.

В докладе говорится о том, что инженеры SK Hynix уже разработали чип MLC NAND с плотностью 128 Гбайт, что пока что для данной отрасли является максимумом. Новинка характеризуется такими же показателями надежности и производительности, что и 64-гигабайтные варианты. Серийный выпуск ёмких моделей должен начаться в самом начале будущего года. Производитель сообщает о том, что благодаря использованию технологии Air-Gap удалось значительно снизить взаимное влияние ячеек 16-нанометровых чипов MLC (Multi Level Cell) NAND производства SK Hynix.