Ранее, в этом году, Samsung анонсировала 30-нм 2 Гбит чипы памяти DDR3 DRAM, вчера компания сообщила о запуске продукции в массовое производство. По заявлению производителя новая память позволит (благодаря более тонкому техпроцессу) обладателям серверов и домашних компьютеров значительно увеличить скорость, энергоэффективность и объем.

Новые 30-нм чипы Samsung DDR3 работают на тактовой частоте 1866 МГц и напряжении 1,35 В, а также на 2133 МГц и 1,5 В. Память нацелена на применении в настольных ПК, серверах, ноутбуках и мобильных устройствах.

Южнокорейская компания понимает, что долго почивать на лаврах не получится – на пятки наступают конкуренты, поэтому Samsung сразу же поставила новую цель – запустить до конца этого года в массовое производство 4Гбит чипы DDR3 DRAM, производимые по тому же 30-нм технологическому процессу.