23/02/2004 - 15:04 [ ]Разгон памяти - теоретический материал

ОГЛАВЛЕНИЕ:


Подготавливая большой обзор модулей DDR500, я осознал, что "не все так просто" с оперативной памятью. И, начав в процессе раздумий делать некоторые заметки для себя лично, понял, что тема теоретической базы разгона памяти (в первую очередь оперативной, но также и видео) достойна более полного раскрытия, нежели пара скупых строк в описании методики тестирования... Так и появился, совершенно неожиданно и в течение одного дня, этот материал. Кроме собственно информации об основах разгона памяти, в тексте сообщаются некоторые полезные (надеюсь) факты относительно поведения тех или иных продуктов, с которыми мне хотелось бы поделиться с читателями, но ранее не находилось повода...

Однако боюсь, что тема, так ненарочно мною затронутая, оказалась весьма обширной и сложной. Я предполагаю, что по многим пунктам материал вызовет дискуссию. Поэтому сразу приглашаю в соответствующую ветку форума всех желающих высказаться по теме. Мой e-mail также открыт для Ваших писем.

Почему чипы памяти при одинаковых стандартных характеристиках так сильно различаются в работе (сравните, например, поведение Winbond BH-5 и Hynix 43!) - на это сложно найти ответ, даже на неделю углубившись в изучение datasheet'ов...

А вот если отвечать на вопрос "как разгоняется память" с точки зрения простого оверклокера, то картина будет попроще. Наверное, материал можно было бы назвать по аналогии "Разогнать все, или память глазами шамана, непосвященного в инженерные тонкости" - я попробую объяснить максимально простыми словами и кое-где не самыми научными методами, но доказавшими свою практическую эффективность, в чем заключается сложность в вопросе разгона памяти и как можно улучшить потенциал модулей. Иными словами, "кто виноват и что делать"... Рассуждения будут с многочисленными и кое-где пространными примерами, поэтому для экономящих время в конце каждого подпункта имеется его тезисное изложение.
Заранее прошу ценителей чисто инженерного подхода меня простить. Конструктивную критику (с рекомендациями по улучшению) с благодарностью приму на e-mail.

На мой взгляд, есть семь основных параметров, которые отвечают за разгонный потенциал конкретной планки:

  • производитель и модель чипов,
  • тайминги,
  • напряжения,
  • качество РСВ,
  • содержимое микросхемы SPD,
  • используемый контроллер памяти,
  • охлаждение.

Ниже мы разберем подробно каждый из них.

Кстати, наше большое счастье в том, что оперативная память и видеопамять работают немного по-разному, и разброс результатов для оперативной памяти хотя бы в пределах модулей с одинаковыми чипами все же не такой большой... Зато видеопамять легче использовать в качестве примеров, так как они выходят ярче :) В любом случае, общий принцип работы у видео- и оперативной памяти одинаков и шесть из семи параметров (кроме контроллера памяти), о которых пойдет речь, влияют на оба типа памяти. Поэтому я посчитал нерациональным обсуждать разгон только оперативной, или только видеопамяти, и сгреб все в одну кучу... Я не затрагивал вообще Rambus RDRAM по причине малораспространенности и небольшого личного опыта работы с ней, а также поведение DDR-II в модулях оперативной памяти в связи с почти полным отсутствием информации по этому вопросу. На видеокартах же DDR-II (GeForce FX 5700Ultra/5800/Ultra, Radeon 9800 Pro 256Mb) и GDDR-II (XGI Volari Duo V8 Ultra) ничем особенным, кроме повышенного нагрева, себя не проявила.

Небольшое примечание. Все данные о частотах работы модулей оперативной памяти, если нет особого указания на обратное, приводятся для самого жесткого варианта - платформы Intel при двухканальном доступе к памяти.

<< Назад Далее >>



Рубрики: Теоретические статьи

Другие материалы: