23/02/2004 - 15:04 [ ]Разгон памяти - теоретический материал

ОГЛАВЛЕНИЕ:


Поднимая питающие напряжения, мы повышаем потенциал работы памяти (в плане предельной частоты, а в некоторых случаях и минимальных таймингов). Именно "напряжения", во множественном числе, так как есть более чем одно напряжение, подаваемое на чипы памяти. Если есть возможность повышать, кроме основного напряжения, также и остальные - желательно это делать, но соблюдая меры предосторожности. Это должно помочь в разгоне, но неаккуратный подход (в виде экспериментаторства с этими дополнительными напряжениями) с большой долей вероятности приведет к несчастью для подопытного устройства.

Между прочим, из-за ошибки в разводке, ABIT IC7-MAX3 при установке "основного" напряжения Vdimm свыше 2.8В (2.9-3.2В) сбрасывает одно из дополнительных напряжений на уровень, соответствующий уровню при Vdimm = 2.5V. Таким образом эффект от повышенного напряжения падает (что исправляется очередным вольтмодом).

Возвращаясь к напряжениям, хочу отметить, что не все чипы одного стандарта одинаково масштабируются при росте напряжения! Это можно заметить, изучив диаграммы в обзоре DDR500. Но в целом, рост есть и достоточно адекватный.

Повышать напряжение можно тоже не бесконечно. Пределом по спецификациям являются обычно 2.9В, именно поэтому большинство производителей материнских плат делают это значение максимально возможным для выставления через BIOS.
Почти все "оверклокерские" модули (и качественные "обычные") способны без особого для них риска работать на напряжении до 3.1-3.2В в качестве постоянного. Для чипов Winbond (по ним накоплена огромная статистика в плане толерантности к напряжениям) например, этот параметр смело можно повышать до 3.3-3.4В, вот только для получения выше 3.2В в любом случае потребуется модификация блока питания.
На краткие периоды в тестовых целях, при должном охлаждении, напряжения поднимают даже до 3.6-4.1В (!). Если вы не готовы рисковать памятью ради высоких результатов, повторять такие эксперименты я крайне не советую. При этом (я ориентируюсь на платформу Intel) можно получить, например, частоты выше DDR600 на памяти типа DDR500, или DDR533 с таймингами 2-5-2-2 на (опять и снова;)) Winbond BH-5.
Между прочим, ни при каких напряжениях нельзя заставить нынешние чипы DDR500 работать на этих самых DDR500 на таймингах 2-5-2-2. Сила DDR500 в высоких частотах, и используя такие модули можно лишь постараться снизить тайминги по возможности, но не в ущерб частоте!

Видеокарты, "как всегда", демонстрируют тенденции в работе памяти в самом гипертрофированном виде. Рост частот памяти для видеокарт на R300/350 наблюдался примерно до Vmem = 3.2-3.4В. При этом редкие платы (внешне ничем не отличающиеся от других!) могли повышать потенциал аж до Vmem = 3.8-4.1В, конечно с большим "риском для здоровья", но все же. А вот на Radeon 9800XT вследствие, вероятно, особенностей реализации схемы питания, выше Vmem = 2.9В никакого прироста нет.

Итого: здесь все сравнительно просто. Кроме нескольких исключений, память реагирует на повышение питающего напряжения примерно адекватным ростом тактовой частоты. Вольтмоды - одни из лучших друзей оверклокера, стремящегося получить максимум из системы.

<< Назад Далее >>