10/12/2008 - 15:31 [ ]Карандашный вольтмод памяти на видеокартах GeForce 7800GTX 256Mb PCI-E

Все опубликованные ранее методы вольтмода видеокарт GeForce 7800GTX 256Mb требуют обязательного применения пайки, однако вольтмод памяти можно сделать и карандашом. Этот способ применим для всех GeForce 7800GTX 256Mb, независимо от производителя, так как все карты выпускались на референсном дизайне.

Контроллер напряжения на памяти - Intersil ISL6534CV, расположен на обратной стороне карты, в левой верхней части.

Обычно карандашный вольтмод делается путем закрашивания резистора, соединенного с feedback и землей. В крайнем случае, можно попробовать так же закрасить SMD-конденсатор, подключенный параллельно этому резистору. Но на GeForce 7800GTX 256Mb, также как и на абсолютном большинстве других топовых видеокарт (любых поколений), подходящие для этого резисторы и конденсаторы просто отсутствуют. Но точки с feedback и землей на крайних слоях платы все равно присутствуют, пусть и в разных местах, так что можно попробовать провести между ними дорожку из графита. Эти точки не должны быть слишком далеко друг от друга, и кроме того, начальное сопротивление Rmem должно быть достаточно велико, чтобы его можно было понизить таким способом. GeForce 7800GTX 256Mb длина проводимых дорожек находится в пределах одного сантиметра, а начальное Rmem=4.07K Ом, чего вполне достаточно для карандашного вольтмода.

Карандашный вольтмод памяти на видеокартах GeForce 7800GTX 256Mb PCI-E

Карандашный вольтмод выполняется путем рисования на плате одной или двух дорожек карандашом из точки Vmem-fb до ближайших точек с землей. Измерить напряжение на памяти можно на любом из трех конденсаторов – C568, C571 или C578 (отмечены на картинке как "Vmem measurepoints"). Проверить полученное после закрашивания сопротивление можно при помощи этого графика:

Карандашный вольтмод памяти на видеокартах GeForce 7800GTX 256Mb PCI-E

Чипы DDR3-памяти Samsung 1.6-ns на видеокартах GeForce 7800GTX обычно разгоняются до частот 1350-1400 MHz. По умолчанию на память установлено напряжение 2.10V и после повышения его до 2.40V можно ожидать прибавку в разгоне памяти примерно на 200MHz.