ОГЛАВЛЕНИЕ:

• Введение
• Глубокий тюнинг
• Disclaimer
• Ингридиенты
• Vgpu mod
• Водяное охлаждение графического ядра
• Снятие защитной крышки с ядра
• Vmem mod
• Установка радиаторов на видеопамять
• Волшебные драйверы
• Gentlemen, start your engines!
• Что не стоит делать с 5900XT
• Итого

Особенность 5900-х карт в том, что на разгон чипа они реагируют резко лучше, нежели на разгон памяти. Грубо говоря, прирост от лишнего мегагерца по чипу на 5900XT такой же, как от 10МГц по памяти. Тем не менее, в погоне за рекордами важна каждая капля производительности, поэтому мы также сделали и Vmem mod.

Следует отметить, что по необьяснимым с точки зрения логики причинам, большинство тех, кто пробовал сделать этот мод до нас, не смогли выжать из карты дополнительный прирост частот памяти при изменении напряжения. Причем это относится как к памяти Samsung, так и Hynix. Почему не выходило у других и вышло у нас - я пояснить не могу, т.к. всеми использовался совершенно идентичный рецепт мода. Тем не менее, стоит попробовать проверить эффект от модификации, может быть, повезет и вам.

На карте 5900XT находятся две микросхемы Intersil ISL6522CB. Одна из них, что уже известно, контролирует питание графического ядра, другая - памяти. Стало быть, второй мод будет аналогичен первому.


Да, снова та же схема: 10кОм переменный резистор между 5 и 7 ногами ISL6522CB. Точнее, между 5 ногой и землей, но на мой взгляд, 7 нога все же самая удобная земля в данном случае - не надо далеко тянуться.


Мониторинг производится в точке на фронтальной стороне платы, поэтому к ней тоже удобнее припаять провод, нежели каждый раз лезть туда мультиметром.


Еще один момент связан со штатным напряжением. На разных картах оно колеблется от 2.5В до 2.85В, так что не удивляйтесь, если оно окажется "нестандартным". Я не рискну приводить статистику распределения этого параметра по брэндам, так как она пока достаточно ограничена и вполне может быть ошибочной. На моем экземпляре Sparkle значение Vmem оказалось равно 2.7В.

Что дало поднятие Vmem? В нашем случае ситуация была следующей: примерно до 3.1В изменения были незначительны (в пределах дополнительных 10-15МГц), затем появились таки признаки роста и при 3.4В мы смогли добиться работы на частоте 1ГГц. Однако, начиная с 3.2В резко повысилось тепловыделение чипов памяти и, при 3.4В за одну минуту тестирования в 3D, даже при интенсивном обдуве открытых чипов их температура достигала 70С, после чего на изображении начинали появляться артефакты от банального перегрева чипов. Встал вопрос о реализации охлаждения памяти...