ОГЛАВЛЕНИЕ:
- Предисловие
- Тестовая конфигурация и методика тестирования
- Результаты разгона
- Производительность
- Заключение
Для тестирования был использован открытый тестовый стенд со следующей конфигурацией:
- Процессор: Intel Core i7-860 B1 (Lynnfield);
- Материнская плата: MSI Big Bang Trinergy, Intel P55, BIOS 1.4;
- Память: Kingmax Hercules Nano TDT FLKE86F-B8KJAA DDR3-2200;
- Видеокарта: Gigabyte Radeon HD 5870 Super Overclock, 1024 Mb, PCI-E;
- Жёсткий диск: Western Digital WD1500HLFS (Velociraptor), 150 Gb;
- Блок питания: Topower PowerTrain TOP-1000P9 U14 1000W;
- Охлаждение процессора: Glacial Tech F101 PWM;
- Термоинтерфейс: Arctic Silver Ceramique.
Для разогрева и проверки стабильности работы памяти использовалась программа MemTest86+ v4.10 (не менее четырех проходов теста #5). Что бы контролер памяти в процессоре не препятствовал раскрытию потенциала памяти, напряжение CPU VTT на время тестов устанавливалось равным 1.40V. Тайминг B2B-CAS Delay устанавливался в положение Disabled, то есть был равен нулю (для всех частот). Тайминг Command Rate всегда устанавливался в 1T.
Часть второстепенных таймингов устанавливалась вручную на значения, которые были указаны в профиле XMP для 2200 МГц:
- tRFC =110;
- tWR = 13;
- tWTR = 7;
- tRRD = 6;
- tRTP = 7;
- tFAW = 20;
Их можно было подобрать вручную, но цель данного тестирования – выяснить потолок по частоте, а не оптимизировать производительность.
Данная память по умолчанию имеет "ровные" первичные тайминги (10-10-10). С ними она была протестирована только для того, чтобы узнать запас по разгону без изменения таймингов. Но оптимальным для микросхем производства PSC следует считать установку тайминга RAS# to CAS# Delay (tRCD) на 3 единицы выше, чем CAS Latency (tCL) и RAS# Precharge (tRP). Так же они требуют достаточно высокого Cycle Time (tRAS) – на уровне 24…27. То есть для них оптимальны сочетания типа 6-9-6-24, 7-10-7-27, 8-11-8-27, 9-12-9-27 и т.п.
Напряжение на памяти устанавливалось на уровне 1.55V, 1.65V, 1.80V и 1.85V. При тестировании с напряжениями 1.80V и 1.85V для обдува памяти устанавливался 120-мм вентилятор Cooler Master A12025-12CB-5BN-L1.